多孔隙超低介電質材料即時損害偵測方法與量測器

Dung-Ching Perng (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種多孔隙超低介電質材料即時損害量測器,包含一第一導電層、一被覆於第一導電層上之多孔隙超低介電質絕緣層,及一與第一導電層相間隔地被覆於絕緣層上之第二導電層。透過該量測器呈導電層-絕緣層-導電層之結構設計,及絕緣層為多孔隙超低介電質材料設計,可藉由預先偵測量測器在積體電路製程環境中的電容?變化,而事先偵測與評估多孔隙超低介電質材料在實際製程中,可能受製程氣體
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專利號I404152
出版狀態Published - 1800

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