應用於場效發射電特性之量測裝置

Shui-Jinn Wang (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種應用於場效發射電特性之量測裝置,適用於量測一奈米結構材料試片之場效發射的電特性,量測裝置包含:由下而上依序疊接之一陰極單元、一隔離單元及一陽極單元。該陰極單元具有一金屬材質的陰極板,及一形成於陰極板頂面之容置槽。該隔離單元具有一容裝於容置槽內的絕緣塊,及一貫穿絕緣塊頂、底面之穿孔。陽極單元由金屬材質製成,並具有一凸伸固定於穿孔中之陽極凸塊,陽極凸塊底端面與陰極板之頂面間隔一定之距離。試片舖夾於陰極板及絕緣塊間,並與陽極凸塊底端面間隔一定之距離,於真空狀態下外加一高電壓於陰極單元與陽極單元上以形成一電場,並量測陰極單元及陽極單元間之電流。
原文Chinese
專利號I301200
出版狀態Published - 1800

引用此文

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TY - PAT

T1 - 應用於場效發射電特性之量測裝置

AU - Wang, Shui-Jinn

PY - 1800

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N2 - 一種應用於場效發射電特性之量測裝置,適用於量測一奈米結構材料試片之場效發射的電特性,量測裝置包含:由下而上依序疊接之一陰極單元、一隔離單元及一陽極單元。該陰極單元具有一金屬材質的陰極板,及一形成於陰極板頂面之容置槽。該隔離單元具有一容裝於容置槽內的絕緣塊,及一貫穿絕緣塊頂、底面之穿孔。陽極單元由金屬材質製成,並具有一凸伸固定於穿孔中之陽極凸塊,陽極凸塊底端面與陰極板之頂面間隔一定之距離。試片舖夾於陰極板及絕緣塊間,並與陽極凸塊底端面間隔一定之距離,於真空狀態下外加一高電壓於陰極單元與陽極單元上以形成一電場,並量測陰極單元及陽極單元間之電流。

AB - 一種應用於場效發射電特性之量測裝置,適用於量測一奈米結構材料試片之場效發射的電特性,量測裝置包含:由下而上依序疊接之一陰極單元、一隔離單元及一陽極單元。該陰極單元具有一金屬材質的陰極板,及一形成於陰極板頂面之容置槽。該隔離單元具有一容裝於容置槽內的絕緣塊,及一貫穿絕緣塊頂、底面之穿孔。陽極單元由金屬材質製成,並具有一凸伸固定於穿孔中之陽極凸塊,陽極凸塊底端面與陰極板之頂面間隔一定之距離。試片舖夾於陰極板及絕緣塊間,並與陽極凸塊底端面間隔一定之距離,於真空狀態下外加一高電壓於陰極單元與陽極單元上以形成一電場,並量測陰極單元及陽極單元間之電流。

M3 - Patent

M1 - I301200

ER -