氧化鎳酸鹼值感測器及其製造方法

Huey-Ing Chen (Inventor), Wen-Chau Liu (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

本發明為一種氧化鎳酸鹼值感測器及其製造方法,係為一延伸式閘極場效電晶體結構,包括有金氧半場效電晶體以及延伸式閘極感測元件。該延伸式閘極感測元件包括有基底、設置於該基底上之導電層、設置於該導電層之上之氧化鎳層、連接於該導電層與該金氧半場效電晶體之導線,以及包覆於該基底、導電層與氧化鎳層之絕緣層,該絕緣層並露出該氧化鎳層形成感測區。藉此,本發明具有更良好之靈敏度及線性度,具備低成本、製程簡易、高穩定性,有極佳之可靠度及耐用度等優點之酸鹼值感測器。
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專利號I417539
出版狀態Published - 1800

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