氮化物異質接面場效電晶體之閘極長度縮短製程

Wei-Chou Hsu

氮化物異質接面場效電晶體之閘極長度縮短製程

奈米積體電路工程碩士學位學程

研究成果: Patent

摘要

一種氮化物異質接面場效電晶體之閘極長度縮短製程,係可大幅改善異質接面場效電晶體之直流與高頻特性,具有低成本、簡單、快速且高效能之特性。係先使用低階之多重波長汞燈曝光儀器在氮化物異質接面場效電晶體上製作出微米等級之閘極長度,藉由氮化物材料本身之耐酸鹼特性及鎳與金金屬對硝酸之選擇性蝕刻,配合本發明提出之新式硝酸微縮閘極製程而獲得次微米等級之閘極長度。藉此.

原文	???core.languages.zh_TW???
專利號	I406340
出版狀態	Published - 1800

引用此

@misc{e303159039774cc7ac152b040c1faa3e,

title = "氮化物異質接面場效電晶體之閘極長度縮短製程",

abstract = "一種氮化物異質接面場效電晶體之閘極長度縮短製程,係可大幅改善異質接面場效電晶體之直流與高頻特性,具有低成本、簡單、快速且高效能之特性。係先使用低階之多重波長汞燈曝光儀器在氮化物異質接面場效電晶體上製作出微米等級之閘極長度,藉由氮化物材料本身之耐酸鹼特性及鎳與金金屬對硝酸之選擇性蝕刻,配合本發明提出之新式硝酸微縮閘極製程而獲得次微米等級之閘極長度。藉此.",

author = "Wei-Chou Hsu",

year = "1800",

language = "???core.languages.zh_TW???",

type = "Patent",

note = "I406340",

}

TY - PAT

T1 - 氮化物異質接面場效電晶體之閘極長度縮短製程

AU - Hsu, Wei-Chou

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種氮化物異質接面場效電晶體之閘極長度縮短製程,係可大幅改善異質接面場效電晶體之直流與高頻特性,具有低成本、簡單、快速且高效能之特性。係先使用低階之多重波長汞燈曝光儀器在氮化物異質接面場效電晶體上製作出微米等級之閘極長度,藉由氮化物材料本身之耐酸鹼特性及鎳與金金屬對硝酸之選擇性蝕刻,配合本發明提出之新式硝酸微縮閘極製程而獲得次微米等級之閘極長度。藉此.

AB - 一種氮化物異質接面場效電晶體之閘極長度縮短製程,係可大幅改善異質接面場效電晶體之直流與高頻特性,具有低成本、簡單、快速且高效能之特性。係先使用低階之多重波長汞燈曝光儀器在氮化物異質接面場效電晶體上製作出微米等級之閘極長度,藉由氮化物材料本身之耐酸鹼特性及鎳與金金屬對硝酸之選擇性蝕刻,配合本發明提出之新式硝酸微縮閘極製程而獲得次微米等級之閘極長度。藉此.

M3 - Patent

M1 - I406340

ER -