氮化鎵金氧半場效電晶體之製造方法

Mau-phon Houng (Inventor), Yeong-Her Wang (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

本發明為一種金氧半場效電晶體之製造方法,揭露了氮化鎵的金氧半場效電晶體之製造方法,本發明以液相沉積方式沉積氧化層在氮化鎵半導體上,此氧化系統相當有效而且低廉,只需在室溫常壓下將氮化鎵晶片置入六氟矽酸和硼酸的混合溶液中即可形成一矽的氧化層,此沉積方法會將氧化層沉積在晶片上,但不會沉積在金屬上,同時利用光激化學溼式蝕刻不會蝕刻二氧化矽的特點來作平台蝕刻的罩幕,並且在製程中以快速熱退火方式來作必要的熱處理以改善氧化層品質。
原文Chinese
專利號169680
出版狀態Published - 1800

引用此文

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TY - PAT

T1 - 氮化鎵金氧半場效電晶體之製造方法

AU - Houng, Mau-phon

AU - Wang, Yeong-Her

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明為一種金氧半場效電晶體之製造方法,揭露了氮化鎵的金氧半場效電晶體之製造方法,本發明以液相沉積方式沉積氧化層在氮化鎵半導體上,此氧化系統相當有效而且低廉,只需在室溫常壓下將氮化鎵晶片置入六氟矽酸和硼酸的混合溶液中即可形成一矽的氧化層,此沉積方法會將氧化層沉積在晶片上,但不會沉積在金屬上,同時利用光激化學溼式蝕刻不會蝕刻二氧化矽的特點來作平台蝕刻的罩幕,並且在製程中以快速熱退火方式來作必要的熱處理以改善氧化層品質。

AB - 本發明為一種金氧半場效電晶體之製造方法,揭露了氮化鎵的金氧半場效電晶體之製造方法,本發明以液相沉積方式沉積氧化層在氮化鎵半導體上,此氧化系統相當有效而且低廉,只需在室溫常壓下將氮化鎵晶片置入六氟矽酸和硼酸的混合溶液中即可形成一矽的氧化層,此沉積方法會將氧化層沉積在晶片上,但不會沉積在金屬上,同時利用光激化學溼式蝕刻不會蝕刻二氧化矽的特點來作平台蝕刻的罩幕,並且在製程中以快速熱退火方式來作必要的熱處理以改善氧化層品質。

M3 - Patent

M1 - 169680

ER -