摘要
一種用於製造氮化鎵基半導體垂直結構元件的雷射剝離方法，包含：(a)製備一試片單元：在一轉換基板上形成一氮化鎵基半導體層，及一支持基板，(b)鄰近轉換基板地設置一個具有鏤空區的光罩，(c)將雷射光穿過鏤空區照射試片單元，使半導體層具有對應鏤空區的晶粒區，及位在晶粒區周圍的分隔區，(d)加熱，(e)將半導體層剝離該轉換基板。藉由雷射光搭配光罩使用，使半導體層在剝離轉換基板之同時，即於支持基板上形成間隔之晶粒區，應用於發光二極體或其他垂直結構元件上，可以省略後續微影、蝕刻等步驟，故確實簡化製程步驟並節省時間。
| 原文 | ???core.languages.zh_TW??? |
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| 專利號 | I287309 |
| 出版狀態 | Published - 1800 |