薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體

Chie Gau (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

本?明公?了一种薄膜晶体管的制?方法及??极式薄膜晶体管,本?明的薄膜晶体管的制?方法包括步?:(A)提供一基板;(B)于?基板表面形成一源极?极、一漏极?极、以及一?壁?米碳管?,?源极?极与?漏极?极相隔一距离配置,且??壁?米碳管?配置于?源极?极与?漏极?极之?;(C)于??壁?米碳管?的表面形成一?极氧化?;(D)以氧气或氮气回火?理??极氧化?的表面;以及(E)形成一?极于??极氧化?的表面;其中,?步?(D)中,以氧气或氮气回火?理??极氧化?的?度?500℃至600℃。
原文???core.languages.zh_TW???
專利號ZL 2012 1 0136709.5
出版狀態Published - 2013 一月 2

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