褶層型電容結構與製程方法

Mau-phon Houng (Inventor), Yeong-Her Wang (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種褶層型電容結構與製造方法,係利用電容並聯時,電容值相加的原理,實際應用於褶層型電容的結構,可應用於例如晶片型電容、晶片型電容陣列等小型化被動元件,也可應用於DRAM的記憶單元等需要單位面積電容值提高的IC製程上。其中電容器之下電極、介電層、與上電極係以一褶層方式堆疊而成,且下電極與上電極各自成一梳狀結構,此外下電極與上電極之梳狀結構係以一距離相互間隔且穿插排列,而介電層則係位於下電極與上電極之間。
原文Chinese
專利號I229445
出版狀態Published - 1800

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