鑽石成核方法及其所形成之結構

Yon-Hua Tzeng (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

本發明係關於一種鑽石成核方法,包括下列步驟:提供一基板並於該基板之一表面上形成一石墨烯層;提供一反應室,並將該基板置於該反應室中;提供一混合氣體於該反應室中,其中該混合氣體包括一含碳氣體;以及於該反應室中形成一電漿,使該含碳氣體於該石墨烯層之表面上反應形成複數個核種,而此方法所形成之結構,包括:一基板;一石墨烯層係設置於該基板上;以及複數個鑽石顆粒形成於該石墨烯層上。
原文Chinese
專利號I546425
出版狀態Published - 1800

引用此