電晶體元件及其製造方法

Huey-Ing Chen (Inventor), Wen-Chau Liu (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種電晶體元件及其製造方法,該元件包括:一半導體基板、一汲極、一源極、一閘極金屬晶種層,係形成於該半導體基板之上,其具有一凝膠狀物質層及複數金屬晶種及一蕭特基接觸金屬閘極,係形成於該閘極金屬晶種層之上。該方法包括:步驟A:提供一半導體基板;步驟B:形成一汲極及一源極於該半導體基板之上;步驟C:定義出一閘極金屬晶種層在該半導體基板上之區域
原文Chinese
專利號I429090
出版狀態Published - 1800

引用此

Chen, H-I., & Liu, W-C. (1800). 電晶體元件及其製造方法. (專利號 I429090).