電泳式閘極異質結構場效電晶體及其製造方法

Huey-Ing Chen (Inventor), Wen-Chau Liu (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種電泳式閘極異質結構場效電晶體包括一半導體基板、一蕭特基接觸層、至少一歐姆接觸層、一汲極金屬電極層、一源極金屬電極層及一閘極金屬電極層,該閘極金屬電極層係利用電泳技術沈積於該蕭特基接觸層上。一種電泳式閘極異質結構場效電晶體之製造方法包括步驟:提供一半導體基板;形成一蕭特基接觸層於該半導體基板上;形成至少一歐姆接觸層;形成一汲極金屬電極層以及一源極金屬電極層;形成一汲極電極與一源極電極;於該汲極電極以及該源極電極間之歐姆接觸層表面進行蝕刻;以電泳技術沈積一閘極金屬電極層;及定義出元件操作區域。
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專利號I487101
出版狀態Published - 1800

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