高頻式充磁裝置

Mi-Ching Tsai (Inventor), Min-Fu Hsieh (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種高頻式充磁裝置,包含一整流電路、一充磁電路、一輸出開關及一充磁軛,當該高頻式充磁裝置操作於充電階段時,由功率電晶體、二極體、電容等元件構成之該充磁電路將整流電路轉換出之一直流電壓升壓成一充磁輸出電壓,再於充磁階段中以高頻的方式切換該輸出開關,令充磁電路累積的能量轉移至充磁軛可對待充磁材料進行磁化,藉此本充磁裝置,不需使用體積龐大之變壓器、電感與高壓電容,仍可得到所需之充磁高壓。
原文Chinese
專利號I531148
出版狀態Published - 1800

引用此

Tsai, M-C., & Hsieh, M-F. (1800). 高頻式充磁裝置. (專利號 I531148).