跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立成功大學 首頁
English
中文
首頁
概要
研究單位
研究成果
專案
學生論文
設備
活動
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
642-nm AlGaInP laser diodes with a triple tensile strain barrier cladding layer
S. J. Chang
, C. S. Chang
微電子工程研究所
奈米積體電路工程碩士學位學程
研究成果
:
Article
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「642-nm AlGaInP laser diodes with a triple tensile strain barrier cladding layer」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Semiconductor lasers
94%
Temperature
5%
Tensile strain
94%
Chemical Compounds
Cladding
100%
Physics & Astronomy
semiconductor lasers
58%
temperature
3%
threshold currents
26%