摘要
一種堆疊型SONOS式快閃記憶體結構及其製作方法，其結構包含一矽基體及一磊晶層，分別為下部SONOS型快閃記憶體及上部SONOS快閃記憶體之通道層(Channel)；第一及第二氧化層-氮化矽-氧化層(ONO)為電荷儲存層；一控制閘極，為上部SONOS型及下部SONOS型元件之共同閘極；控制閘極之兩端分別填滿高密度電漿沈積氧化物(HDP-CVD)做控制閘極寬度之定義，和上部SONOS型及下部SONOS型元件之隔離。此ONO層可用奈米結晶體(Nano-crystals)來取代以產生高效能之電荷保存特性。
| 貢獻的翻譯標題 | 一種堆疊型多位元SONOS式快閃記憶體之製造技術 |
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| 原文 | English |
| 專利號 | I332261 |
| 出版狀態 | Published - 1800 |