A method to enhance the critical current density of superconductor

貢獻的翻譯標題: 提升超導塊材臨界電流密度之方法

In-Gann Chen (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

本發明係一種提升超導塊材臨界電流密度之方法,包括(一)奈米級前驅粉末之製備;(二)利用奈米級(~100nm)粉末之添加,以達到提高超導塊材在高磁場下臨界電流的目的;(三)奈米級添加物的混合、及塊材成長;(四)添加奈米級顆粒對超導塊材性質提升成效的檢驗方式。在單晶粒超導塊材的製作中額外添加適當種類及適量的奈米尺寸粉末,以有效提升超導塊材在高磁場下之臨界電流密度(Jc)。所添加的奈米級(~100nm)粉末於塊材中形成微小尺寸的成分差異區,在高磁場中將提供適當的釘扎(pinning)效果,使超導塊材在高磁場環境下能夠承載更高的電流,進一步獲得應用上的突破。
貢獻的翻譯標題提升超導塊材臨界電流密度之方法
原文English
專利號I254323
出版狀態Published - 1800

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