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A new InGaP/GaAs superlattice-emitter resonant tunneling bipolar transistor (SE-RTBT)
Wen-Chau Liu
, S. Y. Cheng
, W. L. Chang
, H. J. Pan
, Y. H. Shie
微電子工程研究所
奈米積體電路工程碩士學位學程
研究成果
:
Conference contribution
總覽
指紋
指紋
深入研究「A new InGaP/GaAs superlattice-emitter resonant tunneling bipolar transistor (SE-RTBT)」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
InGaP
100%
Gallium Arsenide
100%
Superlattice
100%
Resonant Tunneling
100%
Bipolar Transistor
100%
Room Temperature
33%
Active Regions
33%
Valence Band Discontinuity
33%
Heterointerface
33%
Current-voltage Characteristics
33%
Minority Carriers
33%
High Current Gain
33%
N-shaped
33%
Engineering
Gallium Arsenide
100%
Bipolar Transistor
100%
Resonant Tunneling
100%
Superlattice
100%
Current Gain
33%
Room Temperature
33%
Active Region
33%
Valence Band
33%
Max
33%
Minority Carrier
33%
Physics
Resonant Tunneling
100%
Superlattice
100%
Bipolar Transistor
100%
Room Temperature
33%
Minority Carrier
33%