A new InP-based heterojunction bipolar transistor utilizing an In0.53Al0.22Ga0.25As base

Y. H. Wu, J. S. Su, W. C. Hsu, W. C. Liu, W. Lin

研究成果: Article同行評審

1 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋 深入研究「A new InP-based heterojunction bipolar transistor utilizing an In<sub>0.53</sub>Al<sub>0.22</sub>Ga<sub>0.25</sub>As base」主題。共同形成了獨特的指紋。

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