Aggressively scaled strained silicon directly on insulator (SSDOI) FinFETs

A. Khakifirooz, R. Sreenivasan, B. N. Taber, F. Allibert, P. Hashemi, W. Chern, N. Xu, E. C. Wall, S. Mochizuki, J. Li, Y. Yin, N. Loubet, A. Reznicek, S. M. Mignot, D. Lu, H. He, T. Yamashita, P. Morin, G. Tsutsui, C. Y. ChenV. S. Basker, T. E. Standaert, K. Cheng, T. Levin, B. Y. Nguyen, T. S.King Liu, D. Guo, H. Bu, K. Rim, B. Doris

研究成果: Conference contribution

10 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Aggressively scaled strained silicon directly on insulator (SSDOI) FinFETs」主題。共同形成了獨特的指紋。