AlGaN/GaN high electron mobility transistors based on InGaN/GaN multiquantum-well structures

K. H. Lee, P. C. Chang, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu

研究成果: Article同行評審

15 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「AlGaN/GaN high electron mobility transistors based on InGaN/GaN multiquantum-well structures」主題。共同形成了獨特的指紋。

Physics & Astronomy