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Analysis of band anticrossing in InGaPN alloys grown on GaAs substrates
K. I. Lin
, H. C. Lin, T. S. Wang, M. H. Lee, J. S. Hwang
研究教育組
研究成果
:
Conference article
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同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Analysis of band anticrossing in InGaPN alloys grown on GaAs substrates」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Physics & Astronomy
nitrides
100%
conduction bands
92%
photoluminescence
75%
temperature
63%
interactions
42%
nitrogen
39%
temperature dependence
34%
energy
31%