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Channel width dependence of hot-carrier induced degradation in shallow trench isolated pMOSFETs
Kazunari Ishimaru,
Jone F. Chen
, Chenming Hu
微電子工程研究所
研究成果
:
Conference contribution
總覽
指紋
指紋
深入研究「Channel width dependence of hot-carrier induced degradation in shallow trench isolated pMOSFETs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Degradation
52%
Electrons
37%
Hot carriers
100%
Oxide films
46%