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Characterization of band gap in GaAsSb/GaAs heterojunction and band alignment in GaAsSb/GaAs multiple quantum wells
T. S. Wang, J. T. Tsai,
K. I. Lin
, J. S. Hwang, H. H. Lin, L. C. Chou
研究教育組
研究成果
:
Article
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同行評審
34
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Characterization of band gap in GaAsSb/GaAs heterojunction and band alignment in GaAsSb/GaAs multiple quantum wells」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Semiconductor quantum wells
100%
Heterojunctions
83%
Energy gap
72%
Photoluminescence
62%
Electron transitions
24%
Strain relaxation
21%
Molecular beam epitaxy
19%
Electrons
12%
X ray diffraction
12%
Substrates
9%
Physics & Astronomy
heterojunctions
56%
alignment
49%
quantum wells
49%
characterization
35%
photoluminescence
22%
molecular beam epitaxy
9%
diffraction
5%
x rays
4%
electrons
4%
Chemical Compounds
Band Gap
48%
Photoluminescence Spectrum
42%
Molecular Beam Epitaxy
30%
Photoluminescence
16%
Electron Particle
11%
X-Ray Diffraction
10%