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概要
研究單位
研究成果
專案
學生論文
設備
獎項
活動
Comparison of InGaP- with AlGaAs-gated low noise PHEMTs by current-dependent hot-electron stresses
H. K. Huang
, C. P. Chang
, M. P. Houng
,
Y. H. Wang
電機工程學系
奈米積體電路工程碩士學位學程
微電子工程研究所
研究成果
:
Conference contribution
總覽
指紋
指紋
深入研究「Comparison of InGaP- with AlGaAs-gated low noise PHEMTs by current-dependent hot-electron stresses」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Low Noise
100%
InGaP
100%
AlGaAs
100%
Drain Current
100%
InP HEMT
100%
Hot Electron Stress
100%
Hot Electrons
75%
Impact Ionization
50%
Electric Field (E-field)
25%
Drain Voltage
25%
Stress Conditions
25%
Material Science
Aluminium Gallium Arsenide
100%
Hot Electron
100%