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Correlation between the residual resistance ratio and magnetoresistance in MgB
2
X. H. Chen, Y. S. Wang, Y. Y. Xue, R. L. Meng, Y. Q. Wang, C. W. Chu
副校長室
研究成果
:
Article
›
同行評審
60
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Correlation between the residual resistance ratio and magnetoresistance in MgB
2
」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Chemical analysis
10%
Defects
10%
Electron-phonon interactions
32%
Magnetoresistance
100%
Scattering
14%
Superconducting transition temperature
17%
Temperature
12%
Thin films
29%
Chemical Compounds
Electron-Phonon Interaction
24%
Magnetoresistance
86%
Resistance
39%
Superconductive Transition Temperature
23%
Physics & Astronomy
defects
8%
electrical resistivity
29%
electron phonon interactions
17%
scattering
8%
temperature dependence
10%
thin films
16%
transition temperature
12%