Effect of oxygen partial pressure on electrical characteristics of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors
- Sheng Po Chang
- , Tsung Han Yang
- , Chao Jen Ho
- , Shoou Jinn Chang
研究成果: Article › 同行評審
2
連結會在新分頁中打開
引文
斯高帕斯（Scopus）