Epitaxial Ge layers on Si via GexSi1-xO2 reduction: The roles of the hydrogen partial pressure and the Ge content
- W. S. Liu
- , M. A. Nicolet
- , T. K. Carns
- , K. L. Wang
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯(Scopus)