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Epitaxial Ge layers on Si via GexSi1-xO2 reduction: The roles of the hydrogen partial pressure and the Ge content

  • W. S. Liu
  • , M. A. Nicolet
  • , T. K. Carns
  • , K. L. Wang

研究成果: Article同行評審

4   連結會在新分頁中開啟 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Epitaxial Ge layers on Si via GexSi1-xO2 reduction: The roles of the hydrogen partial pressure and the Ge content」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式

Material Science

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