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概要
研究單位
研究成果
專案
學生論文
設備
獎項
活動
Extended defect states in Ge quantum dots grown by RTCVD
C. J. Park
, K. H. Cho
, Y. H. Kwon
, T. W. Kang
, Hoon Young Cho
, K. L. Wang
電機資訊學院
研究成果
:
Paper
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Extended defect states in Ge quantum dots grown by RTCVD」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering
Quantum Dot
100%
Extended Defect
100%
Band Offset
100%
Activation Energy
33%
Valence Band
33%
State of Charge
33%
Charge Carrier
33%
Interface State
33%
Ground State
33%
Apparent Activation Energy
33%
Deep Level
33%
Localized State
33%
Confined State
33%
Material Science
Quantum Dot
100%
Band Offset
100%
Activation Energy
66%
Charge Carrier
33%
Deep-Level Transient Spectroscopy
33%
State-of-Charge
33%
Physics
Quantum Dot
100%
Activation Energy
100%
Ground State
50%
Keyphrases
RTCVD
100%
Capture Kinetics
33%