High-breakdown voltage Al0.66In0.34As0.85Sb0.15/In 0.75Ga0.25As/InP heterostructure field-effect transistors
- Jan Shing Su
- , Wei Chou Hsu
- , Dong Tsuen Lin
- , Wei Lin
- , Hung Pin Shiao
- , Yu Shyan Lin
- , Jean Zen Huang
- , Piin Jye Chou
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）