跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立成功大學 首頁
English
中文
首頁
概要
研究單位
研究成果
專案
學生論文
設備
獎項
活動
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
High carrier density and mobility in GaAs/InGaAs/GaAs double delta-doped channels heterostructures
M. J. Kao,
W. C. Hsu
,
W. C. Liu
, H. M. Shieh
微電子工程研究所
研究成果
:
Conference contribution
總覽
指紋
指紋
深入研究「High carrier density and mobility in GaAs/InGaAs/GaAs double delta-doped channels heterostructures」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Barrier Thickness
25%
Carrier Density
25%
Carrier Mobility
25%
Delta Doping
100%
Double delta
100%
Double Quantum Well
25%
Enhanced Mobility
25%
Gallium Arsenide
100%
Heterostructure
100%
High Carrier Density
100%
High Carrier Mobility
100%
InGaAs
100%
Lattice Strain
25%
Pseudomorphic
25%
Engineering
Carrier Concentration
100%
Carrier Mobility
100%
Gallium Arsenide
100%
Heterostructures
100%
Indium Gallium Arsenide
100%
Quantum Well
25%