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High carrier density and mobility in gaas/ingaas/gaas double delta-doped channels heterostructures
H. M. Shieh,
W. C. Liu
, C. Y. Chang, M. J. Kao,
W. C. Hsu
微電子工程研究所
奈米積體電路工程碩士學位學程
研究成果
:
Article
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指紋
指紋
深入研究「High carrier density and mobility in gaas/ingaas/gaas double delta-doped channels heterostructures」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Carrier mobility
100%
Carrier concentration
95%
Heterojunctions
87%
Semiconductor quantum wells
52%
Doping (additives)
37%
Physics & Astronomy
carrier mobility
68%
quantum wells
25%