High-dielectric-constant Ta2O5/n-GaN metal-oxide-semiconductor structure

L. W. Tu, W. C. Kuo, K. H. Lee, P. H. Tsao, C. M. Lai, A. K. Chu, J. K. Sheu

研究成果: Article同行評審

76 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「High-dielectric-constant Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/n-GaN metal-oxide-semiconductor structure」主題。共同形成了獨特的指紋。

Physics & Astronomy