跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立成功大學 首頁
English
中文
首頁
概要
研究單位
研究成果
專案
學生論文
設備
獎項
活動
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
High-quality strain-relaxed SiGe alloy grown on implanted silicon-on-insulator substrate
F. Y. Huang, M. A. Chu, M. O. Tanner, K. L. Wang, G. D. U'Ren, M. S. Goorsky
電機資訊學院
研究成果
:
Article
›
同行評審
54
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「High-quality strain-relaxed SiGe alloy grown on implanted silicon-on-insulator substrate」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Physics & Astronomy
insulators
100%
silicon
73%
implantation
40%
boron
39%
photoluminescence
31%
oxides
28%
annealing
27%
characterization
25%
temperature
13%