Highly ESD-reliable, nitride-based heterostructure p-i-n photodetectors with a p-AlGaN blocking layer
- C. H. Liu
- , T. K. Lam
- , T. K. Ko
- , S. J. Chang
- , Y. X. Sun
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）