HYDROGEN SENSOR AND APPLICATIONS THEROF

貢獻的翻譯標題: 氫氣感測器及其製造方法

Huey-Ing Chen (Inventor), Wei-Chou Hsu (Inventor), Wen-Chau Liu (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種氫氣感測器(Hydrogen Sensor)及其製造方法,此氫氣感測器包括:基底、半導體緩衝層、半導體主動層、歐姆接觸(Ohmic Contact)金屬層以及蕭特基接觸(Schottky Contact)金屬蒸鍍層。半導體緩衝層位於基底上。半導體主動層位於半導體緩衝層上。歐姆接觸(Ohmic Contact)金屬層位於一部分之半導體主動層上。蕭特基接觸金屬蒸鍍層位於一部分之半導體主動層上,且與歐姆接觸金屬層相距有一距離,其中蕭特基接觸金屬蒸鍍層的厚度實質介於10 至5000 之間。
原文English
專利號I311199
出版狀態Published - 1800

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