Hydrogen Sensor and Fabrication Method Thereof

貢獻的翻譯標題: 氫氣感測器及其製造方法

Huey-Ing Chen (Inventor), Wen-Chau Liu (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種氫氣感測器及其製造方法。此氫氣感測器的製造方法包含如下步驟：形成半導體緩衝層於基底上；形成半導體主動層於半導體緩衝層上；對半導體主動層的表面進行電漿處理；以及形成第一金屬層和第二金屬層於半導體主動層，其中第一金屬層和第二金屬層之間具有一距離。

@misc{25301540b4d2422483cf04a5b6e17d1f,

title = "Hydrogen Sensor and Fabrication Method Thereof",

abstract = "一種氫氣感測器及其製造方法。此氫氣感測器的製造方法包含如下步驟：形成半導體緩衝層於基底上；形成半導體主動層於半導體緩衝層上；對半導體主動層的表面進行電漿處理；以及形成第一金屬層和第二金屬層於半導體主動層，其中第一金屬層和第二金屬層之間具有一距離。",

author = "Huey-Ing Chen and Wen-Chau Liu",

year = "1800",

language = "English",

type = "Patent",

note = "I443332",

}

TY - PAT

T1 - Hydrogen Sensor and Fabrication Method Thereof

AU - Chen, Huey-Ing

AU - Liu, Wen-Chau

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種氫氣感測器及其製造方法。此氫氣感測器的製造方法包含如下步驟：形成半導體緩衝層於基底上；形成半導體主動層於半導體緩衝層上；對半導體主動層的表面進行電漿處理；以及形成第一金屬層和第二金屬層於半導體主動層，其中第一金屬層和第二金屬層之間具有一距離。

AB - 一種氫氣感測器及其製造方法。此氫氣感測器的製造方法包含如下步驟：形成半導體緩衝層於基底上；形成半導體主動層於半導體緩衝層上；對半導體主動層的表面進行電漿處理；以及形成第一金屬層和第二金屬層於半導體主動層，其中第一金屬層和第二金屬層之間具有一距離。

M3 - Patent

M1 - I443332

ER -