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Implementation of a carbon doped low-k material for 0.18 micron technology
Wei Jen Hsia, Wilbur Catabay, Michael Lu, D. C. Perng
電機工程學系
研究成果
:
Article
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同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Implementation of a carbon doped low-k material for 0.18 micron technology」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Capacitance
100%
Aluminum
89%
Carbon
88%
Low-k dielectric
86%
Statistical process control
73%
Permittivity
58%
Copper
47%
Monitoring
32%
Chemical Compounds
Process Control
68%
Carbon Atom
54%
Dielectric Constant
53%
Reduction
53%
Dielectric Material
51%
Resistance
36%