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Improvement of current blocking for GaN-based LEDs by treatments of Ar plasma on p-GaN surface
X. F. Zeng,
S. J. Chang
, H. M. Lo, Shih Chang Shei
微電子工程研究所
研究成果
:
Paper
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Improvement of current blocking for GaN-based LEDs by treatments of Ar plasma on p-GaN surface」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
GaN-based LED
100%
P-GaN
100%
Ar Plasma
100%
GaN Surface
100%
Current Blocking
100%
Power Output
33%
Electrode Pad
33%
Current Injection
16%
Injection Current
16%
Half-life Time
16%
Current Deflection
16%
Material Science
Light-Emitting Diode
100%
Surface (Surface Science)
100%
Indium Tin Oxide
16%
Engineering
Ar Plasma
100%
Output Power
40%
Current Injection
40%
Physics
Blood Plasma
100%