InGaAs/GaAs High Electron Mobility Transistor

貢獻的翻譯標題: 電壓可調式多段轉換互導放大高電子移動率電晶體

Wei-Chou Hsu (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種電壓可調式多段轉換互導放大高電子移動率電晶體,係於一半導體基板上依序佈設有一緩衝層、一主通道層、一砷化銦鎵/砷化鎵(InGaAs/GaAs)厚度漸進式超晶格結構、一單原子δ-摻雜載子供應層、一閘極肖特基接觸層、及一汲/源極歐姆接觸層,其中,上述超晶格結構包含有隔絕層與次通道層,如是,藉由漸進式超晶隔絕層結構,可改善異質接面晶格不匹配引起之應力散射.
貢獻的翻譯標題電壓可調式多段轉換互導放大高電子移動率電晶體
原文English
專利號6953955
出版狀態Published - 1800

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