跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立成功大學 首頁
English
中文
首頁
概要
研究單位
研究成果
專案
學生論文
設備
獎項
活動
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
InGaP/GaAs resonant-tunneling transistor (RTT)
W. C. Liu
, Y. S. Shie, W. L. Chang, S. C. Feng, K. H. Yu, J. H. Yan
微電子工程研究所
奈米積體電路工程碩士學位學程
研究成果
:
Paper
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「InGaP/GaAs resonant-tunneling transistor (RTT)」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Valence bands
100%
Resonant tunneling
95%
Current voltage characteristics
73%
Bipolar transistors
68%
Transistors
47%
Temperature
22%
Chemical Compounds
Current Gain
98%
Resonant Tunneling
97%
Valence Band
61%
Superlattice
57%
Ambient Reaction Temperature
31%