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InGaP/GaAs resonant-tunneling transistor (RTT)
W. C. Liu
, Y. S. Shie, W. L. Chang, S. C. Feng, K. H. Yu, J. H. Yan
微電子工程研究所
奈米積體電路工程碩士學位學程
研究成果
:
Paper
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總覽
指紋
指紋
深入研究「InGaP/GaAs resonant-tunneling transistor (RTT)」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Bipolar transistors
68%
Current voltage characteristics
73%
Resonant tunneling
95%
Temperature
22%
Transistors
47%
Valence bands
100%
Chemical Compounds
Ambient Reaction Temperature
31%
Current Gain
98%
Resonant Tunneling
97%
Superlattice
57%
Valence Band
61%