跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立成功大學 首頁
English
中文
首頁
概要
研究單位
研究成果
專案
學生論文
設備
獎項
活動
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
Investigation of double-delta-doped InAlGaP/GaAs/InGaAs field effect transistors
Hsin Ying Lee
, Iang Jeng Lin, Hir Ming Shieh,
Ching Ting Lee
光電科學與工程學系
研究成果
:
Article
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Investigation of double-delta-doped InAlGaP/GaAs/InGaAs field effect transistors」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Epitaxial films
44%
Field effect transistors
93%
Frequency response
26%
Laser beams
100%
Low pressure chemical vapor deposition
47%
Metallorganic chemical vapor deposition
45%
Substrates
20%
Wavelength
51%
Physics & Astronomy
excitation
14%
field effect transistors
68%
frequency response
27%
illuminating
28%
laser beams
63%
low pressure
24%
metalorganic chemical vapor deposition
27%
wavelengths
27%
Chemical Compounds
Chemical Vapour Deposition
39%
Epitaxial Film
62%
Field Effect
86%
Wavelength
62%