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概要
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設備
獎項
活動
Investigation of InGaAsP transition layers for Aluminum-free InGaAs/GaAs/InGaP strained-Quantum-well lasers
Hung Pin Shiao
, Wei Lin
, Jian Guang Chen
, Yuan Kuang Tu
,
Ching Ting Lee
光電科學與工程學系
研究成果
:
Paper
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Investigation of InGaAsP transition layers for Aluminum-free InGaAs/GaAs/InGaP strained-Quantum-well lasers」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
InGaP
100%
Gallium Arsenide
100%
InGaAs
100%
Quantum Dot Lasers
100%
Aluminum-free
100%
Strained Quantum Well
100%
InGaAsP
100%
Transition Layer
100%
Characteristic Temperature
50%
Internal Quantum Efficiency
50%
Waveguide Loss
50%
Engineering
Quantum Well
100%
Gallium Arsenide
100%
Indium Gallium Arsenide
100%
Internal Quantum Efficiency
50%
Electric Losses
50%
Physics
Quantum Well Lasers
100%
Waveguide
50%
Temperature Characteristics
50%