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Leaching behavior of metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) waste of GaN
Li Lin Hsu,
Wei Sheng Chen
資源工程學系
研究成果
:
Paper
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Leaching behavior of metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) waste of GaN」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Earth & Environmental Sciences
gallium
100%
leaching
58%
indium
56%
metal
45%
chemical
38%
acid
27%
lighting
24%
energy saving
11%
acidity
10%
physics
9%
aluminum
8%
market
7%
industry
6%
liquid
6%
resource
6%