Light Emitting Diode and Method for Fabricating The Same

貢獻的翻譯標題: 發光二極體及其製造方法

研究成果: Patent

摘要

本發明係有關於一種發光二極體，包括：一發光單元，係為一具有PN接面之半導體晶片；以及一散熱膜層，係包括一緩衝層、一第一附著層、一第一鑽石金屬層以及一保護層，且該緩衝層、該第一附著層、該第一鑽石金屬層以及該保護層依序層疊設置於該發光單元上。

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author = "Yon-Hua Tzeng",

year = "2014",

month = jan,

day = "1",

language = "English",

type = "Patent",

note = "I552379",

}

TY - PAT

T1 - Light Emitting Diode and Method for Fabricating The Same

AU - Tzeng, Yon-Hua

PY - 2014/1/1

Y1 - 2014/1/1

N2 - 本發明係有關於一種發光二極體，包括：一發光單元，係為一具有PN接面之半導體晶片；以及一散熱膜層，係包括一緩衝層、一第一附著層、一第一鑽石金屬層以及一保護層，且該緩衝層、該第一附著層、該第一鑽石金屬層以及該保護層依序層疊設置於該發光單元上。

AB - 本發明係有關於一種發光二極體，包括：一發光單元，係為一具有PN接面之半導體晶片；以及一散熱膜層，係包括一緩衝層、一第一附著層、一第一鑽石金屬層以及一保護層，且該緩衝層、該第一附著層、該第一鑽石金屬層以及該保護層依序層疊設置於該發光單元上。

M3 - Patent

M1 - I552379

ER -