Memory device and operation method thereof

一種記憶體裝置，其包括第一電極及主動層。第一電極的材料包括可氧化之金屬材料。主動層的材料包括氧化物材料或氮氧化物材料，且主動層中與第一電極接觸的部分形成氧空缺過渡區域，其在不同時間內分別接受不同的電壓，以得到至少3個電阻態。