Memory device and operation method thereof

貢獻的翻譯標題: 記憶體裝置及其操作方法

Jen-Sue Chen (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種記憶體裝置,其包括第一電極及主動層。第一電極的材料包括可氧化之金屬材料。主動層的材料包括氧化物材料或氮氧化物材料,且主動層中與第一電極接觸的部分形成氧空缺過渡區域,其在不同時間內分別接受不同的電壓,以得到至少3個電阻態。
貢獻的翻譯標題記憶體裝置及其操作方法
原文English
專利號I441327
出版狀態Published - 1800

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