Jen-Sue Chen (Inventor)
研究成果: Patent
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Memory device and operation method thereof. / Chen, Jen-Sue (Inventor).
TY - PAT
T1 - Memory device and operation method thereof
AU - Chen, Jen-Sue
PY - 1800
Y1 - 1800
N2 - 一種記憶體裝置,其包括第一電極及主動層。第一電極的材料包括可氧化之金屬材料。主動層的材料包括氧化物材料或氮氧化物材料,且主動層中與第一電極接觸的部分形成氧空缺過渡區域,其在不同時間內分別接受不同的電壓,以得到至少3個電阻態。
AB - 一種記憶體裝置,其包括第一電極及主動層。第一電極的材料包括可氧化之金屬材料。主動層的材料包括氧化物材料或氮氧化物材料,且主動層中與第一電極接觸的部分形成氧空缺過渡區域,其在不同時間內分別接受不同的電壓,以得到至少3個電阻態。
M3 - Patent
M1 - I441327
ER -