Method of manufacturing nanowires and the field emission device using the same

貢獻的翻譯標題: 奈米線之製造方法及使用其製作之場發射元件

Shui-Jinn Wang (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

本發明係關於一種奈米線之製造方法,尤指一種適用於製作具有高度選擇性之水平式奈米線,其係用於尖端對尖端或尖端對板極結構之場發射元件。本發明提供一種奈米線之製造方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一第一晶種層於此基板上,且此第一晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一第一電極於此第一晶種層上,其中此第一電極係具有一第二側壁且完全覆蓋此第一晶種層;
原文English
專利號I431662
出版狀態Published - 1800

引用此文

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author = "Shui-Jinn Wang",
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TY - PAT

T1 - Method of manufacturing nanowires and the field emission device using the same

AU - Wang, Shui-Jinn

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係關於一種奈米線之製造方法,尤指一種適用於製作具有高度選擇性之水平式奈米線,其係用於尖端對尖端或尖端對板極結構之場發射元件。本發明提供一種奈米線之製造方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一第一晶種層於此基板上,且此第一晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一第一電極於此第一晶種層上,其中此第一電極係具有一第二側壁且完全覆蓋此第一晶種層;

AB - 本發明係關於一種奈米線之製造方法,尤指一種適用於製作具有高度選擇性之水平式奈米線,其係用於尖端對尖端或尖端對板極結構之場發射元件。本發明提供一種奈米線之製造方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一第一晶種層於此基板上,且此第一晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一第一電極於此第一晶種層上,其中此第一電極係具有一第二側壁且完全覆蓋此第一晶種層;

M3 - Patent

M1 - I431662

ER -