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Mg doping concentration influenced by the polarity of the GaN layer in InGaN/GaN superlattice structures
Yen Lin Lai, Regime Chen,
Chuan Pu Liu
, Yo Way Lin
材料科學及工程學系
尖端材料國際碩士學位學程
奈米積體電路工程碩士學位學程
研究成果
:
Paper
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Mg doping concentration influenced by the polarity of the GaN layer in InGaN/GaN superlattice structures」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Buffer layers
100%
Electron diffraction
92%
Doping (additives)
78%
Superlattices
65%
Crystal symmetry
62%
Photoluminescence
56%
Organic chemicals
54%
Diffraction patterns
49%
Sapphire
46%
Chemical vapor deposition
40%
Spectroscopy
39%
Etching
37%
Crystals
34%
Impurities
33%
Ions
32%
Metals
22%
Chemical Compounds
Convergent Beam Electron Diffraction
78%
Superlattice
72%
Polarity
57%
Buffer Solution
30%
Secondary Ion Mass Spectroscopy
25%
Etching
21%
Doping Material
20%
Photoluminescence
17%
Aqueous Solution
12%