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概要
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活動
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Modeling of Inas/aisb/gasb structures and their valley current components
M. H. Liu, M. P. Houng,
Y. H. Wang
電機工程學系
奈米積體電路工程碩士學位學程
微電子工程研究所
研究成果
:
Conference contribution
總覽
指紋
指紋
深入研究「Modeling of Inas/aisb/gasb structures and their valley current components」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Energy gap
100%
Valence bands
52%
Resonant tunneling
50%
Conduction bands
50%
Heterojunctions
38%
Optoelectronic devices
34%
Tunnels
24%
Chemical Compounds
Band Gap
66%
Valence Band
32%
Conduction Band
31%
Tunneling
29%
Optoelectronics
26%
Mathematics
Modeling
57%
Optoelectronic Devices
32%
Tunnel
23%
Conduction
21%
High Speed
21%
Cover
12%