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概要
研究單位
研究成果
專案
學生論文
設備
獎項
活動
Modeling of Inas/aisb/gasb structures and their valley current components
M. H. Liu
, M. P. Houng
,
Y. H. Wang
電機工程學系
奈米積體電路工程碩士學位學程
微電子工程研究所
研究成果
:
Conference contribution
總覽
指紋
指紋
深入研究「Modeling of Inas/aisb/gasb structures and their valley current components」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
GaSb
100%
Valley Current
100%
Current Component
100%
Band Gap
60%
AlSb
60%
Heterostructure
20%
Conduction Band
20%
Light Hole
20%
Transport Mechanism
20%
Valence Band
20%
Coupling Effect
20%
Device-independent
20%
Band-to-band Tunneling
20%
Conventional Type
20%
High-speed Devices
20%
Band Lineup
20%
Engineering
Band Gap
100%
Heterostructures
33%
Coupling Effect
33%
Conduction Band
33%
Tunnel
33%
Tunnel Construction
33%
Potential Application
33%
Valence Band
33%
Based Optoelectronic Device
33%
Transport Mechanism
33%
Material Science
Heterojunction
100%