Mold and Method for Epitaxial Growth

貢獻的翻譯標題: 磊晶模具及磊晶方法

Shui-Jinn Wang (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種磊晶模具及磊晶方法,該磊晶模具適用於使一種第一結晶材料長晶。該第一結晶材料的單位晶格具有一個第一c軸。該第一c軸具有一個第一晶格常數。該磊晶模具包含一個基板,以及一層磊晶層。該磊晶層以一種第二結晶材料製成。該第二結晶材料的單位晶格具有一個第二c軸。該第二c軸具有一個與該第一晶格常數的差異為0%~0.8%的第二晶格常數。該磊晶層設置在該基板上,且包括一個頂面,以及數個分別由該頂面往下凹入且分別界定出一個磊晶孔的孔面。每一個孔面具有一個與該頂面上下間隔的底面部,以及一個連接於該頂面與該底面部間的圍面部。
貢獻的翻譯標題磊晶模具及磊晶方法
原文English
專利號I602220
出版狀態Published - 1800

引用此

Wang, S-J. (1800). Mold and Method for Epitaxial Growth. (專利號 I602220).