Nano-scaled Ge FinFETs with low temperature ferroelectric HfZrOx on specific interfacial layers exhibiting 65% S.S. reduction and improved ION

C. J. Su, Y. T. Tang, Y. C. Tsou, P. J. Sung, F. J. Hou, C. J. Wang, S. T. Chung, C. Y. Hsieh, Y. S. Yeh, F. K. Hsueh, K. H. Kao, S. S. Chuang, C. T. Wu, T. Y. You, Y. L. Jian, T. H. Chou, Y. L. Shen, B. Y. Chen, G. L. Luo, T. C. HongK. P. Huang, M. C. Chen, Y. J. Lee, T. S. Chao, T. Y. Tseng, W. F. Wu, G. W. Huang, J. M. Shieh, W. K. Yeh, Y. H. Wang

研究成果: Conference contribution

19 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋 深入研究「Nano-scaled Ge FinFETs with low temperature ferroelectric HfZrO<sub>x</sub> on specific interfacial layers exhibiting 65% S.S. reduction and improved I<sub>ON</sub>」主題。共同形成了獨特的指紋。

Engineering & Materials Science